Intel製程全新命名提升市場認知度　全速前進4年內發布5個製程結點

半導體晶片龍頭英特爾（Intel）面對製程受到晶圓代工廠追趕超越下，為了讓市場有更清楚的直覺認識，就10nm SuperFin以後，改以Intel 7、Intel 5、Intel 3做為全新命名，而自Intel 2以Intel 20A命名，而此全新命名的策略，象徵的正是Intel要加速趕上市場的脈動。。Intel同時也發表下一個世代新製程的關鍵技術全新電晶體架構RibbonFET及業界首款背部供電的方案技術的PowerVia。

Intel創新技術總經理謝承儒說明，Intel當前正是全力加速製程的創新、方向上確定後，就加速該做的事，把東西做出來，也要讓終端客戶可以知道Intel要做什麼。Intel在半導體製程命名改變，是為了讓大家有比較清楚的認識，簡單來說，新命名的Intel 7，就差不多是晶圓代工廠的7nm，有別過去Intel 10nm是晶圓代工廠的7nm，有一個層級的轉換。

採用新命名法則的Intel半導體製程，將自10nm製程以下以Intel 7、Intel 4、Intel 3及Intel 20A做為全新命名，植基於FinFET（鰭式場效電晶體）最佳化，相較Intel 10nm SuperFin每瓦效能可提升大約10％～15％。Intel 7將會使用在2021年的Alder Lake用戶端產品，以及2022年第一季量產的Sapphire Rapids資料中心產品。

Intel 4將全面使用極紫外光（EUV）微影技術，每瓦效能提升約20％，於2022下半年準備量產，2023年開始出貨，client用戶端Meteor Lake和資料中心GraniteRapids將率先採用。Intel 3相較Intel 4約能夠提供18％的每瓦效能成長幅度。Intel 3將於2023下半年準備開始生產。

Intel 20A：以RibbonFET和PowerVia這2個突破性技術進入下一個世代埃米（angstrom）製程。RibbonFET是自2011年推出FinFET後，首次全新電晶體架構。此技術於較小的面積當中堆疊多個鰭片，於相同的驅動電流提供更快的電晶體開關速度。PowerVia為英特爾獨特、業界首次實作的背部供電，藉由移除晶圓正面供電所需迴路，以達最佳化訊號傳遞工作。Intel 20A預計將於2024年逐步量產，而高通（Qualcomm）已宣布將採用Intel 20A製程技術。