緊追台積電代工產能　英特爾亞利桑那州2座廠破土2024年營運

全球半導體熱潮進入新里程，全球半導體龍頭英特爾（Intel）耗資200億美元（約新台幣5,560億元）、兩座位於亞利桑那州（Arizona）的半導體廠正式破土動工，意味英特爾追趕台積電（2330）與三星（Samsung）在晶圓代工扭轉領先的新賽局正式起跑。

根據英特爾最新公布的資訊，位於亞利桑那州錢德勒Ocotillo園區的兩座晶圓廠正式破土動工，破土典禮由英特爾執行長基辛格（Pat Gelsinger）主持，基辛格表示，英特爾在亞利桑那州已經有逾40年歷史，這兩座新廠的投資金額高達200億美元，累計英特爾在亞利桑那州的投資已經超過500億元。基辛格強調，做為美國本土半導體領導企業，將扮演幫助美國重新奪回半導體領先地位角色。

這兩座新廠分別命名為Fab 52和Fab 62，在Ocotillo園區中未來將建置共有6座晶圓廠，創造3,000個高技術、高薪的工作職缺、3000個建築工作及15,000個間接性的工作，新廠將在2024年投入營運。新廠以全新RibbonFET和PowerVia創新技術的先進製程為主。

英特爾在晶圓廠的布署來自其 IDM 2.0 戰略，英特爾在代工服務（IFS）業務方面，提供承諾的產能，廣泛的展開晶圓代工業務，滿足全球代工客戶的需求。Intel表示，「如果沒有政府合作來平衡競爭環境，我們就無法做到。」

不同於台積電單純鎖定在晶圓代工的業務，英特爾是從設計、製造到封裝一條龍的IDM（整合設計製造）廠。台積電在鳳凰城的晶圓廠投資案金額120億美元，英特爾則是砸下200億美元一口氣蓋2座廠，晶圓代工大戰戰鼓已經敲響。