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受惠輝達HBM需求增長+記憶體市場供應緊張 美光股價一年飆漲100%

美光科技隨著支出的增加,加上記憶體市場的廣泛反彈,該公司股價在過去12個月裡上漲了近100%。(圖/報系資料照)

AI熱潮受益者之一的美光科技隨著支出的增加,加上記憶體市場的廣泛反彈,該股在過去12個月裡上漲了近100%。瑞穗證券表示,美光的「好日」子可能會持續,因為該公司正在提升其高頻寬記憶體(HBM)領域第五代高頻寬記憶體(HBM3E)產品,以獲得市場份額,這可能會推動美光的股價上漲。美光股價最新價格小跌2.03%,報125.29美元。

HBM3E是第五代高頻寬記憶體,瑞穗認為這是美光與韓國SK海力士之間的「2匹馬競賽」。瑞穗表示,在輝達不斷增長的需求下,HBM供應緊張,這對美光來說是個好兆頭。

瑞穗證券分析師認為,潛在的收益率問題是,在一個關鍵供應商處,其1-alpha HBM3e的堆疊高度綁定延遲,這將使美光和海力士在B100/B200/GB200平台上獲得HBM3e的占比,從而推動從目前的增加路徑上升到2025年的約25%。

HBM3E產品耗電量比競爭對手低了30%。

分析師重申了對美光的「買進」評級,並將目標價上調至150美元,因為該公司有能力向輝達推銷其HBM3E封裝。同時由於記憶體價格預估上調,瑞穗表示,今年2月開始量產HBM3E晶片的美光公司,2024年和2025年大部分時間的高頻寬記憶體可能已經賣光。由於整個行業仍然「緊張」,供應可能處於最低水平,從而推高價格。

下一版的高頻寬記憶體HBM4可能最終需要台積電的CoWoS-L,因為處理器放寬堆疊高度標準。分析師說,美光正在使用一種名為熱壓縮非導電薄膜的技術。美光認為,與SK海力士的產品相比,該技術有助於提高封裝密度、厚度一致性、更快的規格、更小的凸起和更好的堆疊高度間距。

瑞穗的分析師認為,美光科技可能會在HBM4之後看到混合/3D鍵合進入商業評估階段,可能會在2027或2028年之後。而這可能有助於HBM市場以約65%的複合年增長率成長,到2026年達170至180億美元。

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