去中化商機！　格棋攜中科院＋日商闖碳化矽市場

台灣本土化合物半導體產業再添生力軍，碳化矽（SiC）長晶廠格棋23日宣布，斥資6億元興建的中壢新廠落成，將與中科院合作、強化在高頻通訊技術領域的應用，也與日本三菱綜合材料商貿株式會社簽合作協議，邁向日本民生用品和車用市場。

格棋成立於2022年，專注於化合物半導體長晶等第三代化合物半導體的工藝技術開發，是鋰電池廠格斯科技(6940)的關係企業，股東部分重疊，但沒有相互持股，專注在各自領域發展。

格棋董事長張忠傑表示，中壢新廠預計2024年第四季滿產，其中6吋碳化矽晶片月產能可達5000片，2024年底，新廠將安裝20台8吋長晶爐及100台6吋長晶爐，因客戶需求大增，預計2025年8吋長晶爐擴產將達到200台規模。

格棋也將由三菱綜合材料商貿向日系客戶提供6吋和8吋晶錠（INGOT）、晶圓（Wafer）與磊晶片（EPI Wafer）材料，格棋也負責整合台灣資源，向日本客戶供應6吋和8吋晶錠（INGOT）、晶圓（Wafer）與磊晶片（EPI Wafer）。

格棋技術長葉國偉表示，碳化矽半導體有高效、高頻和耐高溫等特性，在電動車、混合動力車及5G通訊等領域有廣泛應用，隨著技術日益成熟，成本下降，市場需求快速增長。

儘管中國大陸積極發展碳化矽，產量大、品質高、成本又低，還有各種多元化在地應用發展，未來免不了硬碰硬，但葉國偉表示，在去中化的浪潮下，就是台灣產業發展的機會，外國廠商陸續發現，雖然使用台灣的產品貴一點點，但可一次解決很多問題；儘管近期電動車市場有些低迷，但電動化仍是大趨勢，過程會用到更多更高階的電池，這就是台廠的優勢。

格棋擁有獨特的碳化矽晶體成長技術，包括特殊的晶種結合方法、即時監控系統、塗層技術，以及原料控制和熱處理技術，其核心技術可有效提升晶體質量，降低缺陷密度，為客戶提供高品質、高可靠性的碳化矽晶圓。