高通S888功耗、溫度過高翻車　台積電7奈米性能輾壓三星5奈米

小米搶先全球率先使用高通新一代處理器S888、推出最新的旗艦型手機「小米11」，經過科技媒體的評測後，竟然發生「翻車」事故。有科技媒體認為，相較於之前使用台積電7納米的前代處理器S865而言，S888的功耗太高、有過熱現象，甚至質疑三星的5納米製程在效能與功耗方面，根本不及台積電的7納米。

根據科技媒體《極客灣Geekerwan》藉著測試小米11的同時，進行了高通S888處理器的評測。效能方面，S888的單核、多核心效能都較前代S865提升10%，GPU部分也提升40%的效能，LPDDR5效能提升至6400Mbps，整體來看，由三星5納米製程所生產的S888，效能上與高通所公布的數據沒有太多落差，但相較於台積電7奈米製程生產的S865來講，也不能說是有很大的突破。

而處理器並不是只有看效能，還要再將功耗納入考量，經過《極客灣Geekerwan》的測試發現後，S888新增的X1核心，單核功耗來到3.3W，比S865多出1W。多核心部分，S888的功耗高達7.8W，比S865高出將近2W。《極客灣Geekerwan》認為，功耗過度的提升，就是S888翻車的主因。

在實際運作上，S888在進行遊戲時，竟然發生處理器速度降頻的狀況，而且整體功耗峰值提升至9.8W，就算是降頻時也有7.8W，這功耗幾乎是所有手機處理器的冠軍。高工耗隨之帶來的也就是溫度問題，在實際進行遊戲測試20分鐘後，搭載S888的小米11出現48度的高溫，而搭載S865的小米時僅41度。

《極客灣Geekerwan》認為，相較於台積電7奈米製程生產的S865，三星5納米製程所生產的S888在效能上的確有提升，但位居全處理器過高的功耗、溫度，不僅拖累了S888整顆處理器的表現，而這也這可能是三星5奈米製程不成熟所導致的結果。