DRAM需求
」研調:美防堵陸半導體發展 海力士擴產重心將轉回韓國
研調機構TrendForce表示,美國商務部去年10月7日頒布半導體限制措施,針對中國境內18nm製程(含)以下設備進口,需經商務部審查,長期而言,記憶體大廠SK海力士(SK hynix)擴產重心將轉回韓國,並決議提升21nm產線比重,該製程主要產品為DDR3、DDR4 4Gb。SK海力士中國無錫廠獲得一年的生產許可,但由於擔憂地緣政治風險升高,加上需求清淡導致庫存壓力持續,於今年第一季開始減產,該廠每月投片量減少約30%。DDR3、DDR4 4Gb占SK海力士整體Consumer DRAM出貨不到三成,但由於SK海力士延長舊製程產線,小容量的Consumer DRAM供給量將會逐漸增加。分析台系相關產品供應鏈,南亞科(Nanya)、華邦(Winbond)以及協助IC設計廠代工的力積電(PSMC)都有供應DDR3 4Gb,DDR4 4Gb目前則以南亞科為主。以各廠製程節點角度來看,DDR3 4Gb三大廠與南亞科製程約為20nm上下;在DDR4 4Gb方面,三星(Samsung)目前20nm與1Xnm都有供應,且有意於今年下半年轉進至1Znm,製程結構上最為領先;美光(Micron)則無供應該容量顆粒;SK海力士與南亞科約20nm。整體來看,其他台廠主流產品為DDR3,且製程仍位於25nm節點,雖華邦、力積電都在開發20nm中,但在量產前製程仍較為落後。從今年第一季Consumer DRAM需求端來看,因電視庫存去化較早,因此SoC近期訂單小幅增加,需求相對好轉;車用需求雖有一定支撐,但目前市場規模仍小;網通需求能見度仍低,買方普遍保守看待,且認為下半年訂單需求還會降低。TrendForce表示,儘管原廠陸續減產Consumer DRAM,但納入庫存水位計算,整體仍處供過於求,預估第二季均價仍有10~15%跌幅。值得注意的是,由於Consumer DRAM僅占整體DRAM市場消耗量約8.5%,長期來看,SK無錫廠產能陸續開出後將對其他原廠造成供貨壓力,價格要反彈恐更困難。
買方庫存水位已偏高 2022年DRAM恐供過於求
市調機構集邦科技(TrendForce)分析2022年DRAM市場趨勢,受到買方庫存水位已偏高,加上2022年需求成長率低於供給端的成長速度,2022年DRAM產業將由供不應求將轉至供過於求。TrendForce分析,就DRAM供給面來看,2021年上半年採購方皆在供應鏈混亂的情勢下擴大採買力道,也帶動原廠的出貨狀況皆優於預期,DRAM庫存水位也因此明顯降低。隨著伺服器業者的動能回溫,供應商也因此樂觀看待其帶來的DRAM需求成長。其中,三星、SK海力士皆有小幅增加投片,加上原廠製程持續朝向1Z nm及1alpha nm轉進的帶動下,預估2022年整體DRAM產業的供給端位元成長率將達17.9%。隨著後續買方對DRAM的採購動能收斂,加上現貨價格領跌所帶動,第四季合約價反轉機會大,預估將下跌3%~8%,結束僅三個季度的上漲週期。而在買賣雙方心理博弈之際,後續供給方的擴產策略,與需求端的成長力道將成為影響2022年DRAM產業走勢最關鍵的因素。台廠方面,由於南亞科(Nanya Tech)新廠完工將落在2024年;華邦(Winbond)的新廠估計明年下半年僅以試產為主,兩者對於供給市場的影響有限。因此,預計2022年台廠對於DRAM供給的增幅貢獻都將十分有限。多數產品坐擁高基期,2022年DRAM需求成長預估僅16.3%。整體而言,2021年在採購端積極拉貨的情況下,對於DRAM原廠是出貨表現相當亮眼的一年;量增價漲使今年全年的DRAM產值有望突破900億美元。不過隨著第四季DRAM價格的反轉向下,延續至2022年上半年的跌幅仍有擴大可能,2022年全年的DRAM平均銷售單價(ASP)恐較今年衰退約15%~20%,而原廠的出貨成長幅度預估也將落在相似區間,意味著整體DRAM產業出貨的成長將受到報價下滑所抵銷,故2022年DRAM產值約略持平今年。TrendForce也提醒,由於2022年下半年的價格變化仍存變數,若有機會止跌翻揚,DRAM產值則可望再創佳績。
季底作帳中小型股為重點 台股本周反彈可期
由於中國央行宣布加密貨幣相關交易均為非法金融活動,周五(24日)比特幣等數位貨幣及區塊鏈股應聲下跌,美股四大指數漲跌互見。台積電ADR跌0.47%;日月光ADR跌0.58%;聯電ADR漲1.01%;中華電信ADR漲0.20%。24日美股四大指數表現:道瓊工業指數漲33.18點、0.1%,收34,798點;那斯達克指數跌4.54點、0.03%,收15,047.7點;標普500指數漲6.5點、0.15%,收4,455.48點;費城半導體指數跌3.5點、0.10%,收3,453.9點。美國科技股中,蘋果漲0.061%;臉書漲2.02%;谷歌母公司漲0.71%;亞馬遜漲0.28%;微軟跌0.070%;英特爾漲0.35%;AMD跌0.33%;高通跌0.022%;NVIDIA跌1.78%;應用材料漲0.57%;美光漲0.014%。台股24日開高走高,早盤以17130.74點開出後,在IC設計、面板、航運等族群帶動下,隨即攻上17200點,最高來到17273.59點,最後則以17260.19點作收,上漲181.97點、1.07%,收復半年線,周K棒為一下影線紅棒。櫃買指數則收在213.10點,上漲2.35點、1.12%,成交金額略降至782.79億元。24日集中市場成交金額略增至2754.19億元,其中三大法人合計買超88.99億元,外資連二買、買超79.09億元,外資自營商買超0.00億元;投信買超1.34億元;自營商買超5.81億元、自營商避險買超2.75億元。法人表示,中秋連假過後,台股先補跌、後反彈,但成交量維持低檔,市場追價意願不高,主要還是因為市場諸多不確定因素未解,像如美國債務上限、基建法案及預算案尚未通過,蘋果新機上市但逢晶片荒等,投資人保持觀望。但就KD指標來看,台股已出現落底現象,加上季底作帳行情,本周應該反彈可期。永豐投顧指出,投信衝刺績效,中小股為重點。9月底前機構法人展開作帳行情,短多可持續。而iPhone 13於9月24日正式開賣,由於此次為史上升級最少的手機,缺乏亮點,對於銷售預測樂觀派看增2成,保守派則認為中國市場將銷售不佳,建議密切觀察後續銷售數字,將左右蘋概族群營收動能及股價表現。繼面板、NB、DRAM需求/價格出現下滑雜音後,被動元件標準品價格自9月1日開始調降、Nike發佈2022年營業展望,受供應鏈影響,2022年營收由10-15%年增率(YoY)下調至5%。永豐投顧認為,後續股市表現不若過去出現呈現齊漲現象,類股強弱度將亦發明顯。建議以產業趨勢明確的晶圓代工、高速傳輸及伺服器相關族群為選股標的。預估本周指數空間17000-17400點。台股集中市場與上櫃股票9月24日大盤走勢圖。(圖/翻攝自基本市況報導網站)
果迷「愛不愛」iPhone13左右蘋概股 投信衝業績拚中小型股
法人投顧分析台股後續表現不若過去齊漲,類股強弱度將亦發明顯,仍建議以產業趨勢明確的晶圓代工、高速傳輸及伺服器相關族群為選股參考標的方向。27日起可留意的重要經濟指標,包括9/27日美國8月耐久財訂單、美國成屋銷售月比,9/28日美國8月零售庫存月比、9/30日美國2Q GDP、中國製造業/非製造業PMI及10/1 美國 9月製造業PMI。永豐投顧分析,繼面板、NB、DRAM需求、價格出現下滑雜音後,被動元件標準品價格自9/1開始調降、Nike的2022年營業展望提到受供應鏈影響,2022年營收由10-15%YOY下調至5%,研判市場仍較關切產業趨勢明確的晶圓代工、高速傳輸及伺服器相關族群。永豐投顧分析,台股下周(9/27~10/1)發展,可朝「iPhone13開賣,留意銷售狀況」、「投信衝刺績效,中小股為重點」、「QE、恆大利空已消化」、「美國債務上限議題為美股不穩定因素」等面向來觀察選股依據。iPhone13於9/24開賣,市場研判此次為史上升級最少的手機,缺乏亮點,市場對於銷售預測樂觀派看增2成,保守派則認為中國市場將銷售不佳,後續銷售數字將左右「蘋概族群」營收動能及股價表現。9月底前機構法人展開作帳行情,短多可持續,以投信籌碼動向來看,近期於OTC買超金額逐步增加,中小型股仍為作帳標的。Fed主席Powell表示11/3 FOMC會議是宣布QE Taper好時機,預計12月實施至2022年中結束,市場已消化此一利空訊息,並釐清恆大影響性不等同雷曼風暴,歐、美股市逐漸回穩。財務部長葉倫表示現金即將於10月中旬用罄,在此之前若不迅速提高或暫停執行債務上限,則聯邦各部門將停擺。鑑於2011年標準普爾因此事件將美國長期主權信用評等由AAA降至AA+,S&P500重挫16.7%,故在兩黨磋商拉鋸下,美股將隨消息面波動。
業績達陣不出貨了 韓廠休假 DRAM現貨價飆漲
全球新冠肺炎疫情持續蔓延,帶動筆電及平板、遊戲機、智慧電視、WiFi網通設備等宅經濟商機銷售動能,12月以來DRAM需求由淡轉旺,然而疫情對全球半導體物流亦造成延遲情況,加上年關將近,韓系記憶體廠今年業績目標達陣後,業界傳出提前關帳並暫停出貨,急單則加價三成才願意出貨,因此帶動DRAM現貨價近日全面飆漲。業者預期,上游DRAM原廠暫停出貨情況會延續到明年1月初,但近期終端市場對於DRAM模組需求強勁,在通路積極回補庫存情況下,現貨價漲勢將延續到明年農曆年前。法人看好南亞科、華邦電、晶豪科、鈺創、威剛、十銓等DRAM概念股營運將因價格上漲而持續好轉。根據集邦科技及通路商資料,12月以來標準型及利基型DRAM現貨價漲勢強勁。在標準型DRAM部份,8Gb DDR4 2666Mbps現貨均價18日漲至3.55美元,12月來累計漲幅達12.3%;8Gb DDR4 2400Mbps現貨均價漲至3.39美元,12月來累計漲幅達22.4%。主要漲升動能來自於筆電及桌機等DRAM模組升級需求,以及市場預期明年上半年將供不應求而提前備貨。受惠於WiFi網通、智慧電視、機上盒、遊戲機等宅經濟需求帶動,加上DRAM晶圓代工價格調漲,利基型DRAM價格也看到明顯漲幅,其中,4Gb DDR3現貨均價18日漲至1.73美元,12月來累計漲幅達13.8%;2Gb DDR3現貨均價漲至1.30美元,12月來累計漲幅達23.8%。模組業者預期,雖然近期DRAM現貨價上漲原因,主要在於供給端策略性降低出貨量,以及終端需求維持強勁,預期現貨價漲勢持續,看好8Gb DDR4現貨均價有機會上看4美元,4Gb DDR3現貨均價可望挑戰2美元。由於現貨價在年底出現大漲行情,DRAM原廠應會持續嚴控出貨,市場氛圍有助於明年第一季DRAM合約價協商,止跌上漲的機率大增。市調機構集邦科技日前預期,明年第一季買方將開始提高庫存水位加以因應,使價格有所支撐,整體DRAM的平均銷售單價將止跌回穩,甚至有微幅上漲的可能。其中,標準型DRAM合約價可望止跌回穩,伺服器、繪圖用、利基型等DRAM合約價可望出現重拾上漲動能,模組廠預期平均漲幅介於5~10%之間。(圖/涂志豪)